高新发展功率半导体事业群亮相第十八届中国半导体行业协会半导体分立器件年会

7月23日至24日，由成都高新发展股份有限公司（以下简称：高新发展）承办的“第十八届中国半导体行业协会半导体分立器件年会暨2024年中国半导体器件技术创新及产业发展论坛”在成都圆满召开。

精彩开幕，引领未来

7月23日上午，第十八届中国半导体行业协会半导体分立器件年会正式拉开帷幕。中国半导体行业协会半导体分立器件分会秘书长赵小宁主持开幕式，成都市高新区高新区党工委委员、管委会副主任车轴在开幕式上致辞。

他表示，“半导体分立器件产业作为推动半导体产业持续发展的重要力量，要把握此次盛会之机，全方位展现成都高新区作为创新高地的独特魅力与卓越实力，持续深化开放合作，积极融入全球半导体产业链供应链，共同开拓国际市场，推动成都高新区半导体产业走向世界，助力我国半导体技术创新和产业发展迈上新的台阶！”

半导体分立器件作为电子信息产业的核心基石，是半导体技术创新的前沿阵地，始终引领着半导体产业科技进步的方向。来自半导体分立器件的400多家重点企业、行业精英，60多家高校院所及专家学者等680余人齐聚此次盛会，围绕半导体器件技术的创新、产业发展、政策环境等方面开启48场报告演讲，共同探讨行业发展的新路径、新模式、新功能。

聚焦前沿，共享成果

高新发展副总经理孟繁新博士受邀参加会议，并发表“IGBT芯片、模块封装技术创新与挑战”专题报告。

他指出IGBT是第三代功率半导体技术革命的代表性产品，具有高频、高电压、大电流，易于开关等优良性能，被业界誉为电力电子装置的“CPU”，广泛应用于工业控制、轨道交通、特种电源、新能源发电、新能源汽车等领域。随着应用需求的发展，给IGBT芯片技术、模块封装技术提出了更高的耐温、耐压、密度、频率、可靠性等技术挑战。报告通过对IGBT芯片技术的演进和IGBT模块技术的演进进行分析，阐述了IGBT性能提升的关键技术路径。同时，孟繁新博士还介绍了高新发展功率半导体事业群在IGBT芯片、封装、测试、应用的技术能力，展示了提供设计仿真-分立器件背面减薄-封装测试-组件集成-应用验证的一站式解决方案的能力。

高新发展功率半导体事业群

高新发展功率半导体事业群是高新发展旗下集功率半导体设计、制造以及研发孵化为一体的高科技产业集群，事业群创始团队由清华大学和中国科学院的博士组成，长期专注于功率半导体器件研发，已带领事业群BU成为国内IGBT产品线覆盖最广的功率半导体企业之一。

成都森未科技有限公司

森未科技技术能力覆盖从功率半导体芯片设计、加工、测试到应用的全过程。目前成功开发不同电压等级和应用场景的芯片超过100款，已成功应用于特种电源、变频器光伏、储能、充电桩、新能源车等领域。

成都高投芯未半导体有限公司

成都首个功率半导体代工平台，成都规模最大的功率半导体中试平台，主要为客户提供分立器件背面加工—模块封测-集成组件的一站式代工服务。

载誉而归，共启“芯”篇

当晚，论坛还举行了晚宴并进行颁奖仪式，芯未半导体凭借出色的稳定性、高可靠性的产品制造工艺；丰富的产品系列制造；先进的质量保证体系；高效的产品生产能力，荣获“特色工艺特别贡献奖”。获此殊荣，是对高新发展功率半导体事业群IGBT生产线在工艺创新和独特贡献方面的高度认可，高新发展半导体事业群将不断在特色工艺的道路上继续探索和创新，致力于解决行业内存在的工艺难题，推动整个行业的技术进步。

展台风采，人潮涌动

会议期间，一系列精彩的演讲和研讨令人印象深刻。在会场外，精彩纷呈的展台也让参会人员驻足。高新发展功率半导体事业群在本次活动的展台上，携自主研发的IGBT产品及先进制造工艺精彩亮相。为大家带来了工控、新能源车领域最新研发产品，同时展示了先进、稳定、可靠的分立器件加工、模块封测工艺，以及适用于工控、光储充、新能源车等各类产业应用场景的全套系统解决方案，吸引众多观众咨询交流。

在展台上，通过与行业内专家学者面对面的交流互动，让思想火花四溅，与参会者们积极分享经验、交流心得，共同为推动行业进步出谋划策。这不仅是知识的传递，更是合作的开端，为未来的协同创新奠定了坚实基础。本次活动众多企业展示的最新产品和解决方案，更是展现了我国在半导体分立器件领域的强大实力和无限潜力。

未来，高新发展半导体事业群将继续加大研发投入，加强产业合作、关注新兴领域，坚持高水平科技自立自强，突破关键技术瓶颈，在现代化进程中不断开辟发展新领域、新赛道，塑造发展新动能、新优势。以科技创新提升国产半导体在全球市场的竞争力，实现产业的可持续发展。